目前高亮和超高亮LED已經(jīng)占到中國(guó)LED市場(chǎng)的85%,是中國(guó)LED市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力。2009年,高亮度LED占中國(guó)LED市場(chǎng)的72.5%,超高亮LED占比約14%,同比增長(zhǎng)18.7%和29.8%,而普通亮度LED市場(chǎng)縮小了6.5%。2012年,中國(guó)LED市場(chǎng)將達(dá)到402億元的規(guī)模,而其中高亮LED和超高亮LED市場(chǎng)為261.4億元和88.5億元,2010-2012年間的平均增長(zhǎng)率為21%和38%。LED照明是高亮和超高亮LED的重要應(yīng)用市場(chǎng)。LED照明包括景觀照明、路燈、汽車照明、室內(nèi)照明、室內(nèi)裝飾、交通指示燈等。2009年按亮度分,中國(guó)LED照明市場(chǎng)中,有20.4%使用了超高亮LED,有68.4%使用了中高亮度LED,而普通LED僅占11.2%。2009~2012年間,中國(guó)LED照明市場(chǎng)將保持22%左右的增長(zhǎng)速度,2012年市場(chǎng)規(guī)模將從2009年的80.5億元提高到146億元。顯示背光將成為高亮LED主要的增長(zhǎng)市場(chǎng)。中國(guó)液晶背光顯示市場(chǎng)將強(qiáng)勁增長(zhǎng),2014年銷售額將從2010年的4.68億美元上升到12億美元,復(fù)合年度增長(zhǎng)率為25.7%??焖俪砷L(zhǎng)的中國(guó)電視機(jī)市場(chǎng)將給高亮LED帶來(lái)市場(chǎng)機(jī)會(huì),2013年,大陸液晶電視出貨量將達(dá)到4860萬(wàn)臺(tái),LED背光的滲透率約為50%,需要LED97.2億顆。
技術(shù):自主創(chuàng)新任重道遠(yuǎn)
中國(guó)希望通過(guò)開(kāi)發(fā)Si和GaN襯底的功率型GaN基LED,以減少國(guó)外專利的限制。藍(lán)寶石和SiC是最常用的兩種GaN基LED襯底,但前者的專利技術(shù)被日本日亞公司壟斷,而后者則被美國(guó)CREE公司壟斷。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)的國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目"基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)",已于2010年通過(guò)科技部項(xiàng)目驗(yàn)收??鐕?guó)廠商早期在中國(guó)建立了LED封裝廠,現(xiàn)在正逐漸把外延、芯片等前段制程也轉(zhuǎn)移到中國(guó)來(lái),其中以臺(tái)灣企業(yè)最為積極。2009年底,CREE開(kāi)始在惠州建設(shè)LED芯片廠,這是CREE在北美以外的第一個(gè)芯片生產(chǎn)基地,CREE計(jì)劃將LED外延片加工部分的技術(shù)引進(jìn)中國(guó)。2010年5月,力晶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園LED晶片項(xiàng)目在徐州開(kāi)工,總投資42億美元,將建設(shè)100條MOCVD藍(lán)光LED晶片生產(chǎn)線,以及8英寸、12英寸晶圓生產(chǎn)線。2010年4月,臺(tái)灣晶元光電在常州的LED外延和芯片生產(chǎn)基地開(kāi)始建設(shè),總投資6億美元,一期總投資3.6億美元,將投入30臺(tái)MOCVD外延爐。