2012年半導體材料行業(yè)面臨挑戰(zhàn)分析

發(fā)布時間：2012-08-02 11:22:43 來源：

【大中小】

在消費電子與綠色能源需求的推動下，新型半導體材料將更多地在生產(chǎn)中得到應用，新材料的使用同時也是降低成本的需求。此外，新的工藝技術也會對材料提出新的要求。

　　半導體產(chǎn)業(yè)2007年的銷售額達到了2590億美元，在過去的5年中平均增長率為9.5%。半導體材料的銷售額占半導體產(chǎn)業(yè)的16%，為此，全球半導體制造公司、設備與材料公司在新材料方面的人力與資金投入都與日俱增。中芯國際45nm研發(fā)團隊中就有超過一半的人在從事新材料的研發(fā)。半導體材料是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎，材料技術的發(fā)展使集成電路技術的升級成為可能。半導體材料時代已經(jīng)來臨，在消費電子與綠色能源需求的推動下，半導體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，新材料和新元素將更多地在生產(chǎn)中得到應用。如何選擇與鑒定最合適的材料，如何預測材料對薄膜及工藝性能的影響，如何將新材料從研發(fā)快速轉(zhuǎn)入大規(guī)模生產(chǎn)，成為材料時代的新挑戰(zhàn)。

隨著45nm技術時代的來臨，新材料在半導體前道和后道工藝中都得到了日益廣泛的應用。Praxair公司研發(fā)總監(jiān)兼中國國際半導體材料研討會技術委員會主席黃丕成介紹說，半導體制造中通常有6個典型的工藝步驟，分別為光刻、化學機械拋光(CMP)、刻蝕、電鍍、薄膜淀積和離子注入工藝。在45nm技術中，新材料不僅包括新的光刻膠、更好的CMP工藝研磨液與研磨墊，也包括刻蝕工藝中的氣體與試劑、電鍍與薄膜淀積中的新材料與試劑。在前段工藝過程中的高k(介電常數(shù))金屬柵與應力硅材料以及后段工藝過程中的低k與阻擋層材料及相關工藝，都是當今半導體制造產(chǎn)業(yè)研究熱點中的熱點。

關鍵詞： 2012年半導體材料

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